【摘 要】
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报道了320×256元InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,器件采用PBIN结构,红外吸收区结构为14 ML(
【机 构】
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中国科学院中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083中国科学院中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院研究生院,北京100049;
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报道了320×256元InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,器件采用PBIN结构,红外吸收区结构为14 ML(InAs)/7 ML(GaSb),焦平面阵列光敏元尺寸为27 μm×27 μm,中心距为30μm,通过刻蚀形成台面、侧边钝化和金属接触电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了320×256面阵长波焦平面探测器.在77 K温度下测试,焦平面器件的100％截止波长为10.5 μm,峰值探测率为8.41×109 cmHz1/2W-,盲元率为2.6％,不均匀性为6.2％,采用该超晶格焦平面器件得到了较为清晰的演示性室温目标红外热成像.
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