TiO2/MXene纳米复合材料的可控制备及在光催化和电化学中的应用研究进展

来源 :材料工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wcqadam
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TiO2纳米材料因其存在高的光生电子-空穴对复合速率、电子迁移率低、导电性差以及可逆容量低等问题,使其在光催化和电化学等领域的应用受到限制。MXene(M n+1 X n T x)作为一种新型的二维过渡金属碳化物、氮化物或碳氮化物,具有独特的二维层状结构、良好的金属导电性和较高的载流子迁移率等特性,将其引入TiO2纳米材料中构建TiO2/MXene纳米复合材料,利用两者的协同作用可进一步提高光电性能。本文从TiO2纳米
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通过添加纵向交流磁场,以HS201纯铜焊丝为填充金属,对厚度均为2 mm的T2紫铜和Q235钢板进行TIG对接实验,研究添加磁场时的接头成形、组织结构及力学性能。结果表明:添加磁场后的焊缝表面成形良好。最佳工艺参数为:当焊接电流I E=95 A,焊接速率v=95 mm/min,磁场频率f=25-35 Hz,磁场电流I=0.4-0.6 A,接头力学性能较好,其抗拉强度最高为223.5 MPa,相比无磁场提高了44.5%。铜-钢TIG焊接头主要分为钢侧热影响区、熔合区、焊缝区和铜侧热影响区。添加交流磁场后,钢