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采用能谱仪（EDS）和原子力显微镜（AFM）对不同衬底负偏压下射频磁控溅射法制备的Ni—Mn-Ga形状记忆薄膜进行了成分和形貌的分析。研究发现：当衬底负偏压在5～30V范围变化时，薄膜中的Ni含量随偏压的增加呈先减少后增加的趋势，在偏压为10V时，达到最小值52．84％（摩尔分数，下同）.Ga含量的变化趋势恰好与Ni相反，且在偏压为10V时达到最大值29．85％，而Mn含量变化不大，保持在17．00％左右；薄膜呈典型岛状（Volmer-Weber）模式生长，表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随衬底负偏压的增加而