【摘 要】
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应用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）法制备SiO2薄膜,并用折射率来表征致密性。研究了SiO2薄膜致密性与射频（RF）功率、基板温度、腔内压强、N2O/SiH4流量比的关系。通过Filmetri
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应用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）法制备SiO2薄膜,并用折射率来表征致密性。研究了SiO2薄膜致密性与射频（RF）功率、基板温度、腔内压强、N2O/SiH4流量比的关系。通过Filmetrics薄膜测厚仪F20测量了薄膜的折射率,用聚焦离子束扫描电镜（FIB-SEM）测量了表面微结构。利用能量弥散X射线（EDX）分析薄膜中Si、O、N元素含量随工艺参数变化对致密性的影响。进行多因子实验设计（DOE）,得出了各种条件下最优的折射率与结构的生长条件,并研究了SiO2薄膜致密性随工艺条件变化的机理。
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