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用Laplace缺陷谱仪(LDS)实验研究了GaAsP中Fe深受主上空穴发射和AlGaAs中Sn DX 中心上电子发射引起的非指数瞬态,发现它们起因于混晶无序效应.与DLTS的单一谱峰比较,LDS谱呈现出多峰结构.由深能级上空穴与电子热发射率随温度关系的直线拟合,得到多峰结构各峰谱的激活能,认为它们反映杂质深中心与其近邻原子的不同结构.研究表明,LDS适用于深能级精细结构的研究.