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针对微光条件下，电子倍增电荷耦合器件（EMCCD）的暗电流噪声将会随信号一起在倍增寄存器中放大，信号仍会湮没于噪声中。该文提出将多针相（MPP）模式引入EMCCD，通过在栅极上加较大的负偏压，使得空穴填充Si—SiO2界面态，抑制电子的跃迁和传导，以减小暗电流的产生率。研究结果表明，T=300K时，MPP模式下EMCCD的暗电流值为0．0213nA／cm^2，而非MPP模式下EMCCD表面暗电流稳态值为1．79nA／cm^2。说明MPP模式的引入极大地降低了EMCCD的暗电流水平，同时提高了整个微光成像系