【摘 要】
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为满足当前γ相机对高分辨率、低成本、小型化探测器的需求,提出了采用硅光电倍增管（SiPM）耦合GAGG：Ce晶体阵列的方式代替传统的位置灵敏型光电倍增管（PSPMT）耦合晶体阵列的方式以
【机 构】
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成都理工大学核技术与自动化工程学院,中国科学院大学核科学与技术学院,中国科学院高能物理研究所北京市射线成像技术与装备工程技术研究中心
【基金项目】
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中科院科研装备研制项目资助（29201707）
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为满足当前γ相机对高分辨率、低成本、小型化探测器的需求,提出了采用硅光电倍增管（SiPM）耦合GAGG：Ce晶体阵列的方式代替传统的位置灵敏型光电倍增管（PSPMT）耦合晶体阵列的方式以构成新型γ相机探测器,并设计了均匀电荷分配电路（SCDC）和阻抗电桥电路作为探测器的读出电路,同时设计了前沿定时电路作为数据采集触发电路。实验结果表明：当温度为25℃、探测器供电电压为28.5V时,该探测器在511keV射线的激发下,散点图的峰谷比高达3.84,对511keV和662keV射线的平均能量分辨率分别为10.6
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