钛酸锶钡材料应用于超高密度动态随机存储器的研究

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【摘要】

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铁电钛酸锶钡材料具有十分优越的介电性能：高的介电常数，较低的介电损耗，好的绝缘漏电性能；而且，通过调节材料中的Ba／Sr成分比，可改变材料的居里相变温度Tc，以满足特定应用环境的温度

【作者】

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朱小红郑东宁

【机构】

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中国科学院物理研究所超导国家重点实验室北京100080

【出处】

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物理

【发表日期】

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2004年1期

【关键词】

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钛酸锶钡铁电/介电薄膜动态随机存储器介电常数介电损耗居里相变温度 DRAM 半导体存储器薄膜厚度薄膜结构薄膜沉积介电弛豫 ferroelect

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铁电钛酸锶钡材料具有十分优越的介电性能：高的介电常数，较低的介电损耗，好的绝缘漏电性能；而且，通过调节材料中的Ba／Sr成分比，可改变材料的居里相变温度Tc，以满足特定应用环境的温度需要，在超高密度集成的动态随机存储器(DRAM)方面表现出广阔的应用前景．文章概括介绍了BaxSr1-xTiO3薄膜材料在DRAM应用中已取得的最新研究进展，并对这一应用所面临的问题也进行了详细讨论．

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