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采用Raman和荧光测量研究了低碳含量a-Si1-xCx∶H(x≤20%(原子比))薄膜的结构特征，并选用两种不同波长的激光来激发这些材料。采用647.1 nm光激发时，由于激发光能量接近于各样品的光学带隙，因而在样品中具有较大的透射深度，而488.0 nm光激发时则被样品表面强烈吸收。探测深度的变化造成了Raman谱和荧光谱有较大的差异，这些结果一方面表明样品的表面存在一层高浓度的缺陷层，同时也证明样品体内存在着带隙的空间起伏，这两种空间的不均性造成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半高宽比低能激发