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以铝掺杂氧化锌（Al-doped ZnO，简称AZO）和锡掺杂氧化铟（Sn-doped In2O3，简称ITO）薄膜为例，建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式，定量计算的结果AZ0陶瓷靶材中铝含量的理论量佳值为C≈2.9894%(wt)，ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为C≈10.3114%(wt)，与实验数据相符合，该理论经适当的个性和解释后也适用于某些其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题。