用于802.11a系统的5.8GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计

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【摘要】

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通过对输入匹配、噪声和线性度的分析,给出了改进低噪声放大器综合性能的方法.利用软件对电路进行噪声优化,设计出了一个0.18μm CMOS工艺的5.8GHz全集成低噪声放大器.采用工

【作者】

：

蒋东铭黄风义陆静学赵亮

【机构】

：

东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,China

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

低噪声放大器 CMOS工艺噪声优化电感模型 low noise amplifier CMOS technology noise optimization

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通过对输入匹配、噪声和线性度的分析,给出了改进低噪声放大器综合性能的方法.利用软件对电路进行噪声优化,设计出了一个0.18μm CMOS工艺的5.8GHz全集成低噪声放大器.采用工艺厂家提供的电感测试数据进行参数提取,得到精准的电感模型并用于电路仿真.设计结果是整个电路功耗13mW,功率增益为14dBm,噪声系数为2.05dB,线性度指标IIP3为-1dBm.

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