【摘 要】
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集成电路（IC）制造中,某些工艺的异常会使得相关的扩散区域产生缺陷,导致IC芯片性能异常,圆片中测低良。一款双极功放集成电路芯片,由于NPN管发射区缺陷,引起IC芯片漏电和输出端
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集成电路（IC）制造中,某些工艺的异常会使得相关的扩散区域产生缺陷,导致IC芯片性能异常,圆片中测低良。一款双极功放集成电路芯片,由于NPN管发射区缺陷,引起IC芯片漏电和输出端中点电位异常,导致中测低良。从电路原理出发,分析如何建立中点电位,推导中点电位与器件参数的关系。结合IC芯片漏电,分析了相关器件参数跟工艺的关系,通过对失效管芯进行解剖腐蚀,定位到管芯失效的原因是NPN管的发射区存在缺陷。通过将发射区磷SOD工艺改变为磷砷离子注入工艺,改善了工艺缺陷,解决了该产品的性能异常和中测低良率。
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