高栅压下超薄栅nMOSFET的RTS噪声

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jenniechen007

【摘要】

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在深入研究SMIC 90nm工艺1．4nm栅厚度nMOS器件RTS噪声时域特性的基础上，提出了该类噪声电子隧穿栅介质的物理起源，并对高栅压下RTS噪声机理作了深入阐述．结合IMEC和TSMC的研究，建

【作者】

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鲍立庄奕琪包军林李伟华

【机构】

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西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年4期

【关键词】

：

RTS 深亚微米边界陷阱 MOS器件 RTS deep sub-micron border traps MOS device

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在深入研究SMIC 90nm工艺1．4nm栅厚度nMOS器件RTS噪声时域特性的基础上，提出了该类噪声电子隧穿栅介质的物理起源，并对高栅压下RTS噪声机理作了深入阐述．结合IMEC和TSMC的研究，建立了栅压与RTS噪声时间参数的物理模型，实验结果和模型模拟结果的一致说明了模型的有效性．该研究为边界陷阱动力学和此类器件可靠性提供了新的研究手段．

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