用改进的调制光电流相移分析技术研究氢化非晶硅的隙态分布

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本文提出了一种严格校准调制光电流相移的方法,在此基础上,采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜费米能级以上隙态密度及其分布的光致变化效应。实验发现,光电流相移的校准对确定隙态密度及其分布是至关重要的,除了校准测试系统的相移频率特性外,还需考虑样品本身电阻,电容等参数的影响,否则会使隙态密度偏低1 ̄2个数量级,经严格校准的光电流相移测试,a-Si:H的隙态分布在导带边以
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