【摘 要】
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当电场强度大于阈值时,液晶可以看成是单轴介质,其折射率可以通过电场方向来调控。在光子晶体中引入缺陷层液晶,利用传输矩阵法研究了含有一层填充不同液晶（分别为E7、5CB或BL
【机 构】
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赣南师范学院物理与电子信息学院,赣南师范学院光电子材料与技术研究所,江西省光电子与通信重点实验室
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当电场强度大于阈值时,液晶可以看成是单轴介质,其折射率可以通过电场方向来调控。在光子晶体中引入缺陷层液晶,利用传输矩阵法研究了含有一层填充不同液晶（分别为E7、5CB或BL-009）缺陷的一维光子晶体缺陷模的电场调控特性。结果表明：对应于E7、5CB或BL-009不同液晶缺陷,缺陷模波长可调量分别为43nm、34.5nm和37.1nm,电场对E7这种液晶相对于其他两种液晶可调量更大。随着垂直入射光与电场方向间夹角θ在（00,900）内增大,缺陷模波长向着短波方向漂移。这是由于有效折射率的变化及变化范围所引
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