毫微秒邏輯綫路的应用

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本文描述了一种每级“与—或”延迟时间小于1.5毫微秒的高速逻辑门线路的特性。该线路为输入条件提供了从控制输入端到输出端的低阻抗通路,因而使速度得到了提高。反相器采用一偏置的隧道二极管去控制晶体管通导或截止。为获得高的响应速度,晶体管工作在非饱和与非截止状态。文中还提出了一种经济的线路装配和连接技术。最后介绍了读数速度为20毫微秒的小型隧道二极管存貯器的结构和应用。 This article describes the characteristics of a high-speed logic gate line with an AND delay of less than 1.5 ns per stage. The line provides a low-impedance path from the control input to the output for input conditions, thereby increasing speed. The inverter uses a biased tunnel diode to control the transistor on or off. In order to obtain a high response speed, the transistor is operating in a non-saturation and a non-blocking state. The article also proposed an economical line assembly and connection technology. Finally, the structure and application of a small tunnel diode memory with a reading speed of 20 ns are introduced.
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