【摘 要】
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随着电子信息系统对体积、功耗、带宽等的要求越来越高,集成电路的集成度需不断提高,且芯片自身的损耗应越小越好。采用常规的单芯片三维集成工艺实现集成电路,能在有效提高
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随着电子信息系统对体积、功耗、带宽等的要求越来越高,集成电路的集成度需不断提高,且芯片自身的损耗应越小越好。采用常规的单芯片三维集成工艺实现集成电路,能在有效提高芯片集成度的同时显著降低芯片的静态和动态损耗。文章将采用多次外延技术,以单芯片三维集成电路为主要研究目标,以器件结构设计和工艺设计为主要研究内容,展开对单芯片三维集成技术的研究。本文研究的重点是通过多次外延技术在单颗芯片中实现三维集成。基于此,本文对单芯片三维集成工艺的设计研究,旨在推动单芯片三维集成技术和绿色电子技术的发展与进步。
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技