【摘 要】
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采用等离子束源化学气相沉积（CVD）设备制备氢化非晶硅薄膜。使用台阶仪、UV-Vis-NIR分光光度计、X线衍射仪（XRD）及扫描电子显微镜（SEM）等手段表征样品。分析了该设备沉积的薄膜均匀
【机 构】
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上海交通大学电子信息与电气工程学院
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采用等离子束源化学气相沉积（CVD）设备制备氢化非晶硅薄膜。使用台阶仪、UV-Vis-NIR分光光度计、X线衍射仪（XRD）及扫描电子显微镜（SEM）等手段表征样品。分析了该设备沉积的薄膜均匀度,并比较了本设备与普通电子束蒸发设备制备的薄膜表面形貌。实验结果表明,当设备功率为300 W,硅烷/氢气流量比为15∶10,设备腔室气压为7×10-5 MPa,上、下线圈电流比为6∶2时,薄膜沉积速率最大。
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