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【摘 要】
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ZnSe是Ⅱ-Ⅵ族重要的半导体材料,在常温常压下是闪锌矿结构,在高压下会发生相变转变为岩盐矿结构。将过渡金属离子掺杂在ZnSe晶体中可以有效获得中红外区域的激光增益介质和光电材料。主要研究了高压对Cr 2 掺杂ZnSe半导体材料性质的影响。基于密度泛函理论的第一性原理,计算了掺杂剂(Cr 2 )的引入对ZnSe相变压强的影响,以及高压环境下ZnSe和Cr 2 ∶ZnSe晶体的电子结构、光学性能和力学性能的变化。Cr 2 掺杂降低了ZnSe从闪锌矿到岩盐矿结构的相变压强,并且掺杂浓度越高,相变压强越低。分析
【机 构】
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四川大学电子信息学院,激光微纳工程研究所,四川成都610065
【出 处】
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中国激光
【发表日期】
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2019年46期
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