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本文依据等离子体化学气相沉积法（ＰＣＶＤ）制备ＳｎＯ２导电薄膜的过程，提出一种数学模型，通过数值计算，讨论了沉积的关键参量一活性粒了沉积速率与过程参数（气压，温度等）的相互关系对结果作了初步分析并与实验进行了比较。
SnO2气敏薄膜沉积速率的数值模拟
【摘 要】
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本文依据等离子体化学气相沉积法（ＰＣＶＤ）制备ＳｎＯ２导电薄膜的过程，提出一种数学模型，通过数值计算，讨论了沉积的关键参量一活性粒了沉积速率与过程参数（气压，温度等）的相互关系对结果作了初步分
【机 构】
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华东冶金学院
【出 处】
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化学传感器
【发表日期】
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1995年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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