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开发了一种利用SU8胶剥离工艺制作沟槽型同位素微电池表面电极的新工艺,通过使用BP212正胶作为牺牲层,有效地解决了在制作沟槽型同位素微电池表面电极时,堆胶以及沟槽中SU8胶不易去除的难题。该工艺操作简单、可靠,成本低,因此具有很大的实用价值。
一种制作沟槽型同位素微电池表面电极的新工艺
【摘 要】
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开发了一种利用SU8胶剥离工艺制作沟槽型同位素微电池表面电极的新工艺,通过使用BP212正胶作为牺牲层,有效地解决了在制作沟槽型同位素微电池表面电极时,堆胶以及沟槽中SU8胶
【机 构】
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大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2008年2期
【基金项目】
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基金项目：国家自然科学基金项目资助项目（No.50475153）,教育部新世纪优秀人才支持计划项目（No.NCET-04-0266）.
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