【摘 要】
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报道了320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室
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报道了320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超品格周期结构分别为7 ML InAs/7 ML GaSb和10 ML InAs/10 ML GaSb.焦平面阵列像元中心距为30μm.在77 K时测试,器件双色波段的50％响应截止波长分别为4.2 μm和5.5 μm,其中N-on-P器件平均峰值探测率达到6.0×10m cmHz1/2W-1,盲元率为8.6％;P-on-N器件平均峰值探测率达到2.3×109 cmHz1/2W-1,盲元率为9.8％.红外焦平面偏压调节成像测试得到较为清晰的双波段成像.
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