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场效应晶体管是现代微电子技术的重要组成部分。为制备氧化锌薄膜晶体管，分析了氧化锌的P型、n型掺杂特性，对P型掺杂进行了实验分析和理论探讨，比较了各种制备氧化锌薄膜晶体管的工艺特点，展示了ZnO在未来电子和光电子领域的潜在应用。
氧化锌薄膜场效应晶体管的制备及工艺研究
【摘 要】
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场效应晶体管是现代微电子技术的重要组成部分。为制备氧化锌薄膜晶体管，分析了氧化锌的P型、n型掺杂特性，对P型掺杂进行了实验分析和理论探讨，比较了各种制备氧化锌薄膜晶体管
【机 构】
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湖北师范学院物理与电子科学学院,黄石理工学院计算机学院,黄石理工学院环境工程学院
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2009年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（10874075）,湖北省教育厅重点科技项目基金资助项目（D20082203）,黄石市科技攻关计划项目基金资助项目（黄科技发成[2006]18号）
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