【摘 要】
:
SO42-是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和“点籽晶”快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长。实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的
【机 构】
:
山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学
论文部分内容阅读
SO42-是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和“点籽晶”快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长。实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶体生长速度变慢,晶体出现开裂,柱面发生“楔化”。
SO42- is a common impurity ion in KDP raw materials. The growth of K2SO4 doped KDP crystals was studied by the traditional cooling method and the “seed-point” rapid growth method. Experiments show that sulfate with low concentration can improve the stability of the solution and promote the growth of the crystal, resulting in cylindrical expansion; high concentration solution stability was destroyed, the emergence of hybrid crystals, crystal growth slowed down, the crystal cracking , Cylinder “wedge”.
其他文献
理论分析和讨论了基于频域相位共轭技术的交叉相位调制所致信号失真的复原和补偿机理,数值模拟了在交叉相位调制作用下,高斯脉冲在中距相位共轭光纤系统中的传输演化过程.结
用"团簇埋入自洽计算法"对LaNi5晶体表面进行了全电子、全势场、自旋极化的从头计算.在原子纵向坐标充分弛豫的条件下,得到处于最低基态总能量下LaNi5晶体的非平整表面空间结
采用密度泛函方法(DFT)研究了过渡金属混合簇NbmRhn(m,n≤2)的结构、稳定性规律及它们的成键情况.结果表明,Nb-Nb键较强,Rh-Rh键较弱,而Nb-Rh键的强度则介于两者之间.在Nb2Rh
在两种边界条件下用正压大气非线性位势涡度方程模拟了强迫、耗散和非线性共同作用下大气运动的若干特征.在南北两端为齐次边界条件时,单纯的热力强迫下只出现了波状定常解;
利用457.5nm固体激光器作为激发光源,得到了在不同功率激发下的多孔硅样品的拉曼光谱以及一些谱峰参数随功率的变化关系.在从前的理论研究中,认为是由于激光功率的增大导致样
在增广相空间中研究单面完整约束力学系统的对称性与守恒量.建立了系统的运动微分方程;给出了系统的Norther对称性,Lie对称性和Mei对称性的判据;研究了三种对称性之间的关系;
将光纤传感技术、荧光分析与免疫分析技术结合, 自行设计了Y型分叉光纤、光强可调的光纤固定架及性能优良的荧光测定池, 建立了新型光纤荧光免疫系统.系统性能可靠, 操作简便
通过在真空电弧熔炼炉内对合金铸锭进行反复熔炼处理,获得到了凝固组织不同的Zr65Al7·5Cu12·5Ni10Ag5合金铸锭.在相同的制备条件下,由凝固组织不同的合金铸锭通过吸铸法制
利用不同的测量方法,研究了MnFeP1-xAsx(0.32<x<0.66)材料巡游电子变磁性转变附近一级相变与其他物理性质变化的关系.可以发现,材料的一级相变是一个温度滞后为10K,但持续发生