【摘 要】
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研究了复合材料表面 CVD Si C涂层的制备工艺 ,并对涂层的表面致密化性能进行分析。在不同的工艺条件下制备 Si C涂层 ,探讨了温度、载气流速、时间等因素对涂层的影响。利用
【机 构】
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国防科技大学航天与材料工程学院,国防科技大学航天与材料工程学院,国防科技大学航天与材料工程学院 410073,410073,410073
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研究了复合材料表面 CVD Si C涂层的制备工艺 ,并对涂层的表面致密化性能进行分析。在不同的工艺条件下制备 Si C涂层 ,探讨了温度、载气流速、时间等因素对涂层的影响。利用扫描电镜和 X-射线衍射仪 ,对涂层晶型进行分析 ,讨论不同条件下 Si C的结晶形态 ,从而得出制备致密涂层的较好工艺。
The preparation technology of CVD Si C coating on composite surface was studied, and the surface densification property of the coating was analyzed. Si C coating was prepared under different process conditions, and the influence of temperature, carrier gas flow rate and time on the coating was discussed. Using scanning electron microscopy and X-ray diffraction, the crystal structure of the coating was analyzed and the crystal morphology of Si C under different conditions was discussed. The better process for preparing the dense coating was obtained.
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