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基于铝诱导晶化方法，通过直流磁控溅射离子镀技术利用纯Al、纯Si和Al（Ce）靶材，制备了Al—Si和Al（Ce）Si薄膜。采用真空退火炉和X射线衍射仪在不同温度下，对样品进行了退火实验并分析了AlSi和Al（Ce）-Si薄膜的晶化和生长过程；结合Si薄膜的生长机理，研究了Al和稀土Ce在对Si薄膜退火晶化过程中的影响。结果表明：在Al（Ce）诱导Si薄膜晶化过程中，Ce可促进Si原子沿Si（111）晶面生长；500℃退火后，与Al—Si薄膜相比A1（Ce）Si薄膜中si的平均晶粒尺寸显著减小；Ce的存在