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对几种不同类型（TTL，CMOS，JFET—Bi，MOS-Bi）的典型星用运算放大器在不同剂量率（100，10，1及0．01rad（Si）／s）辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究．结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异：双极运放电路辐照剂量率越小，其损伤越大；CMOS运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系，但不同剂量率辐照损伤的差异，可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除，本质上仍然是与时间相关的效应；JFET输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在，且辐照后还有明显的“后损伤