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金属电阻是影响大尺寸TFT—LCD信号延迟的关键因素。研究了利用低电阻率金属Al制作大尺寸TFT阵列信号线的生产工艺，发现在完成有源半导体层刻蚀后残留的少量Cl2会在后续工艺中对金属Al造成腐蚀．严重地影响了产品的性能。通过优化刻蚀工艺，采用活性更高的SR去除刻蚀有源半导体层时残留的少量Cl2，避免了金属Al腐蚀的发生。