【摘 要】
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在研究0.5μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时,发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象,相关的解释鲜见报道.经过分析提出假设：部分多栅NMOS在γ辐
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院微电子学系,四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室,四川大学物理科学与技术学院
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在研究0.5μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时,发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象,相关的解释鲜见报道.经过分析提出假设：部分多栅NMOS在γ辐照实验过程中各栅极受到剂量不均匀的辐照,导致辐照前后转移特性曲线出现交叉现象。计算机仿真结果表明：受到剂量不均匀的辐照后,多栅NMOS各栅极氧化层陷阱电荷和硅二氧化硅界面电荷浓度不一致,使各栅极阈值电压不同步漂移,导致器件跨导退化和转移特性曲线交叉.通过仿真验证能够说明,所提出的假设合理地解释了实验中的现象。
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