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以氮化铝、不同晶体类型的碳化硅为原料，采用热压烧结工艺，在1900～1950℃，氮气气氛下制备AlN-SiC复合材料。采用网络分析以及激光热导仪等检测仪器，研究了热压烧结制备的材料的微波衰减性能及导热性能。研究结果表明：采用热压烧结工艺可以在1900～1950℃制备组织致密均匀的AlN-SiC复合材料；采用α-SiC为原料的AlN-SiC复合材料具有适当的介电性能和良好的导热性能，有望替代大功率真空电子设备中的BeO基衰减材料。