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氧化锌（ZnO）是一种宽带隙半导体材料，具有六角形纤锌矿晶体结构，室温下的带隙宽度约为3．37eV，具有从蓝光到紫外波段的发光性能，其室温下的激子结合能高达60meV，可用于制作短波长光电器件，如发光二极管、紫外光探测器、高频滤波器和紫外激光器等．制备一维无机纳米材料的方法主要包括气相-液相-固相生长法、溶液-液体-固体生长法、气体一固体生长法、溶剂热合成法、分子自组装。和模板法．文献中报道的制备ZnO纳米带的方法主要是粉末蒸发法，通过贵金属催化和高温气化两种气相转移的方法虽然可以合成可控直径的一维结构Z