【摘 要】
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为了研究并提升氧化钯（PdO）敏感电极的气敏性能,采用Ni,La和Mg元素对PdO进行掺杂。通过掺杂前后PdO的表征实验对比,发现掺杂作用不仅改变晶格参数,同时也影响晶体中的缺陷。在
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为了研究并提升氧化钯（PdO）敏感电极的气敏性能,采用Ni,La和Mg元素对PdO进行掺杂。通过掺杂前后PdO的表征实验对比,发现掺杂作用不仅改变晶格参数,同时也影响晶体中的缺陷。在对丙烯气敏测试中,Ni和La掺杂的PdO敏感电极提高了传感器气敏灵敏度。对于掺杂提高气敏响应的机理,我们根据不同元素掺杂对PdO气敏反应的不同作用,讨论了氧化物缺陷对PdO催化活性的影响。晶体中的氧缺陷可以提高氧化物的催化活性,使传感器具有较高的灵敏度。具有掺杂PdO敏感电极对氧气和多种气体的选择性测试,表现出对丙烯气体具有较
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