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采用反应磁控共溅射方法在Ge衬底上制备亚-nm等效氧化物厚度（EOT）的HfTiO高κ栅介质薄膜，研究了湿N2和干N2气氛退火对Ge MOS电容电特性的影响。隧穿电子显微镜、椭偏仪、X射线光电子频谱、原子力显微镜以及电特性的测量结果分别表明，与干N2退火比较，湿N2退火能明显抑制不稳定的低κ GeOx界面层的生长，从而减小栅介质厚度，降低栅介质表面粗糙度，有效提高介电常数，改善界面质量和栅极漏电流特性，这都归因于GeOx的易水解性。还研究了Ti靶溅射功率对HfTiO栅介质Ge MOS器件性能的影响。