【摘 要】
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针对低激发功率密度光致发光(photoluminescence,PL)谱信噪比(signal-to-noise ratio,SNR)对GaAs1-xBix带尾能级探究的限制问题,基于傅里叶变换红外PL光谱实验系统对两个GaAs
【机 构】
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上海师范大学数理学院,上海200234中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;上海师范大学数理学院
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针对低激发功率密度光致发光(photoluminescence,PL)谱信噪比(signal-to-noise ratio,SNR)对GaAs1-xBix带尾能级探究的限制问题,基于傅里叶变换红外PL光谱实验系统对两个GaAs1-xBix外延膜开展变激发光斑尺寸PL光谱测试分析.结果表明,激发功率恒定时光斑直径增大导致PL峰位红移和线宽先降低后增大.这一现象是由于等效激发功率密度的降低而导致的.在保持激发功率密度为5.1 W/mm2时,光斑增大不影响光谱线型但显著提升SNR.由此,低激发功率密度PL光谱的弱信号探测能力得以提高,有助光谱定量拟合分析.本工作表明,适当增大激发光斑尺寸有助于低激发功率密度PL光谱的SNR和弱信号分辨能力的提升.
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