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用泵浦-探测技术研究了氢化纳米硅薄膜(nc-Si：H)的非线性光学性质，观察到纳米Si中激子的光吸收饱和现象，测得实验用样品在波长554nm处有最大的折射率改变量Δn＝－6.1×10－5，并对该材料的光学非线性机理作了探讨。
氢化纳米硅薄膜的激子光学非线性
【摘 要】
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用泵浦-探测技术研究了氢化纳米硅薄膜(nc-Si：H)的非线性光学性质，观察到纳米Si中激子的光吸收饱和现象，测得实验用样品在波长554nm处有最大的折射率改变量Δn＝－6.1×10－5，并对
【机 构】
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华侨大学应用物理系,天津大学精密仪器与光电子工程学院
【出 处】
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光电子．激光
【发表日期】
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2001年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金，国家重点实验室基金
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