【摘 要】
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对可形成硅化物的金属铜、镍诱导非晶硅晶化机制进行了研究。利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和磁控溅射制备了Cu/a-Si、Ni/a-Si双层薄膜系列样品,并对制备的样品进行了
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对可形成硅化物的金属铜、镍诱导非晶硅晶化机制进行了研究。利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和磁控溅射制备了Cu/a-Si、Ni/a-Si双层薄膜系列样品,并对制备的样品进行了退火处理,然后利用X射线衍射仪和拉曼光谱仪对样品进行了表征。结果表明,对2个双层膜体系退火,首先生成金属硅化物,然后当温度升高到一定值时才会发生非晶硅晶化。利用界面热力学解释了铜、镍诱导非晶硅晶化的机制,以及金属硅化物在诱导过程中的作用。
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