晶闸管制造工艺改进

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<正>由于抛光、氧化、光刻工艺的流程较长,而且抛光去掉的厚度误差较大,击穿特性软,所以我们欲将抛光工序取消,进行实验,工艺流程如下:磨片→硼铝涂层扩散→氧化→光刻→磷扩散→烧结→镀膜合金→反刻→台面处理→封装→…….去掉抛光工序,工艺大大简化,一扩后表面浓度不再受抛光影响,扩散参数的一致性和均匀性容易保证.但是,粗糙的表面,形成的氧化层是否连续?也就是说,能否屏蔽高温长时间的N~+选择扩散?形成发射结(阴极-门极
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