C-H体系CVD金刚石薄膜

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【摘要】

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化学气相淀积金刚石薄膜过程中,CH3和C2H2是金刚石生长的主要前驱基团.C2H2与CH3浓度比([C2H2]/[CH3])的变化将影响金刚石薄膜的生长取向.用非平衡热力学耦合模型计算了CH体

【作者】

：

张剑云王鹏飞丁士进张卫王季陶刘志杰

【机构】

：

复旦大学电子工程系CVD研究室上海 200433;Physikalische Chemie I , University of Bielefeld, Germany

【出处】

：

微细加工技术

【发表日期】

：

2000年3期

【关键词】

：

化学气相淀积金刚石薄膜热力学

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化学气相淀积金刚石薄膜过程中,CH3和C2H2是金刚石生长的主要前驱基团.C2H2与CH3浓度比([C2H2]/[CH3])的变化将影响金刚石薄膜的生长取向.用非平衡热力学耦合模型计算了CH体系CVD金刚石薄膜生长过程中C2H2浓度和CH3浓度随淀积条件的变化,并进一步获得了[C2H2]/[CH3]随衬底温度和CH4浓度的变化关系,从理论上探讨了金刚石薄膜(111)面和(100)面取向生长与淀积条件的关系.在衬底温度和CH4浓度由低到高的变化过程中,[C2H2]/[CH3]逐渐升高,导致金刚石薄膜的形貌从(111)晶面转为(100)晶面.

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