p型掺杂GaAs液相外延材料的辐射复合研究

来源 :浙江大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qiuyueguangxuan

【摘要】

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对Ｓｉ掺杂和Ｚｎ掺杂ｐ型ＧａＡｓ液相外延材料在３００Ｋ－６０Ｋ温区的辐射复合进行了光致发光研究。用发射波长为５１０．６ｎｍ和５７８．２ｎｍ的溴化亚铜激光器作为激发光源，样品的低温由拟循环制冷机提供，样品室温度在１０Ｋ－３００Ｋ中可调。在所选取

【作者】

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华伟民沈雅珍

【机构】

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浙江大学物理系,浙江大学分析测试中心

【出处】

：

浙江大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

1995年1期

【关键词】

：

辐射复合砷化镓光致发光谱 P型液相外延 rediative combination photoluminescence spectra p-type

【基金项目】

：

国家自然科学基金,浙江省分析测试基金

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对Ｓｉ掺杂和Ｚｎ掺杂ｐ型ＧａＡｓ液相外延材料在３００Ｋ－６０Ｋ温区的辐射复合进行了光致发光研究。用发射波长为５１０．６ｎｍ和５７８．２ｎｍ的溴化亚铜激光器作为激发光源，样品的低温由拟循环制冷机提供，样品室温度在１０Ｋ－３００Ｋ中可调。在所选取的狭缝宽度下，谱仪的分辨率大致为２ｎｍ。本文所提供的数据全部经过系统灵第九度校正并进行分峰拟合。本文讨论了Ｓｉ掺杂ｐ型ＧａＡｓ样品ＰＬ谱中一些主要特征。认为Ａ

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