【摘 要】
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LV/HVTwin-WellBCD[B]技术(1)能够实现低压5V与高压100~700V(或更高)兼容的BCD工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅结构
【机 构】
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上海贝岭股份有限公司,中国航天电子技术研究院第七七一研究所
【基金项目】
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上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2009.090027)
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LV/HVTwin-WellBCD[B]技术(1)能够实现低压5V与高压100~700V(或更高)兼容的BCD工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅结构的HVLDMOS器件。改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓度等可以得到不同的高电压。采用MOS集成电路芯片结构设计﹑工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。
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