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分析了SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅-阴极击穿电压的影响,讨论了如何进行正向阻断电压和栅-阴极击穿电压的控制和调节.
SITH耐压容量的控制和调节
【摘 要】
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分析了SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅-阴极击穿电压的影响,讨论了
【机 构】
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青海师范高等专科学校电子工程系,兰州大学物理科学与技术学院
【出 处】
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兰州大学学报
【发表日期】
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2001年5期
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