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探讨了烧结温度对Sio2掺杂锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(简称PMSZT)压电陶瓷性能的影响。通过X射线衍射及扫描电镜分析Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3+0.1%(SiO2)(质量分数)陶瓷的相组成和显微结构。结果表明:合成温度900℃时,可以得到钙钛矿结构。对于适量SiO2掺杂PMSZT压电陶瓷,可以在1100~1150℃时烧结实现致密化,并且介电压电性能较好,当烧结温度为1100℃时综合性能最佳,ε33^T/c0=129