Er2O3单晶薄膜的生长及Er2O3/Si异质结的能带偏移

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dawancha2010

【摘要】

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利用分子束外延方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃0.93mPa的条件下实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.较低的温度和氧气压下在

【作者】

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【机构】

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上海电力学院

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2006年z1期

【关键词】

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利用分子束外延方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃0.93mPa的条件下实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.较低的温度和氧气压下在薄膜内易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化.还利用光电子能谱对Er2O3/Si异质结的能带偏差进行了初步的研究.

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