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CZ硅单晶中旋涡缺陷对低频大功率管制造的影响
CZ硅单晶中旋涡缺陷对低频大功率管制造的影响
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shyibow
【摘 要】
:
CZ硅晶片中的旋涡缺陷在器件制造的热循环过程中 ,会转化成体内杆状层错 ,且易集结在发射结对应下方的基区和集电结附近 ,从而导致 EB结和 CB结的软击穿现象进行了研究 ,并采
【作 者】
:
董尧德
【机 构】
:
浙江硅峰电子有限公司
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
2000年2期
【关键词】
:
旋涡缺陷
器件制作
CZ硅单晶
大功率器件
低频
Silicon wafer swirl defectDevice process
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CZ硅晶片中的旋涡缺陷在器件制造的热循环过程中 ,会转化成体内杆状层错 ,且易集结在发射结对应下方的基区和集电结附近 ,从而导致 EB结和 CB结的软击穿现象进行了研究 ,并采取了适当措施 ,以消除和控制旋涡缺陷的产生
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