切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
一个利用线性区MOS管补偿的射频放大器
一个利用线性区MOS管补偿的射频放大器
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fffdsa4te
【摘 要】
:
研究了一种采用线性化技术的低电压CMOS射频放大器。电路中.并联一个工作在线性区的MOS管来提高其线性。采用SMIC的0.18μm工艺,流片测试结果显示,该电路用很小的功耗代价将放大
【作 者】
:
曹克
杨华中
汪蕙
【机 构】
:
清华大学电子工程系
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
2006年1期
【关键词】
:
互补金属氯化物半导体
低电压
射频
线性度
放大器
CMOS
low-voltage
radio frequency
linearity
amplif
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
研究了一种采用线性化技术的低电压CMOS射频放大器。电路中.并联一个工作在线性区的MOS管来提高其线性。采用SMIC的0.18μm工艺,流片测试结果显示,该电路用很小的功耗代价将放大器的输入三阶交截点功率提高了大约5dB。
其他文献
CMOS全差分超宽带低噪声放大器
文中给出了一个应用于超宽带射频接收机中的全集成低噪声放大器,该低噪声放大器采用了电阻并联负反馈与源极退化电感技术的结合,为全差分结构,在Jazzo.18um RFCMOS工艺下实现,芯片
期刊
互补金属氧化物半导体
超宽带
低噪声放大器
CMOS
ultra-wideband (UWB)
low noise amplifier (LNA)
多场极板LEDMOS表面电场和导通电阻研究
研究了常规LEDMOS,带有两块多晶硅场极板LEDMOS以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDMOS表面电场分布情况,重点研究了多块场极板在不同的外加电压下,三种LEDMOS的表面峰
期刊
表面电场
导通电阻
击穿电压
场极板
surface electrical field
specific on-resistance
breakdown v
肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT)的器件模拟
使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此
期刊
肖特基栅共振隧穿三极管
器件模拟
单稳-双稳转换逻辑电路单元
Schottky gate resonant tunneling transistor
devi
其他学术论文