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综述了GaN HFET研究中材料生长和工艺研究的新进展,介绍了器件向高频、大功率方向发展的现状及其应用前景,总结了优化器件性能和商品化问题中的二维场结构和电子态、纳米金属介质层、应变能带工程及介质势垒等重要课题.
GaN HFET研究的最新进展
【摘 要】
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综述了GaN HFET研究中材料生长和工艺研究的新进展,介绍了器件向高频、大功率方向发展的现状及其应用前景,总结了优化器件性能和商品化问题中的二维场结构和电子态、纳米金属
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2004年9期
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