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PE 氮化硅薄膜优异的物理、化学性能使其在半导体分立器件、IC 电路中常被用作绝缘层、钝化层而使用。然而，氮化硅龟裂问题是影响其作为钝化层使用的阻碍因素，因此，科学的氮化硅工艺条件对其薄膜质量的影响非常关键。给出了等离子体化学气相淀积（PECVD）氮化硅薄膜技术的原理，通过实验验证，确定了诱发氮化硅龟裂现象的原因，优化工艺条件，确定了 PECVD氮化硅的最佳工艺条件，杜绝了龟裂现象对氮化硅作为钝化层使用的影响。