【摘 要】
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基于TiSi2低电阻率的优点,采用Ti制作肖特基二极管.在VLSI工艺中实现同时完成钛硅化物欧姆接触和肖特基势垒二极管(SBD)的制作.文中用AES等技术研究不同退火工艺形成的Ti/Si
【机 构】
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上海先进半导体制造有限公司,复旦大学材料科学系,复旦大学电子工程系
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基于TiSi2低电阻率的优点,采用Ti制作肖特基二极管.在VLSI工艺中实现同时完成钛硅化物欧姆接触和肖特基势垒二极管(SBD)的制作.文中用AES等技术研究不同退火工艺形成的Ti/Si界面形态和结构,寻找完善的工艺设计和退火条件.此外还测量Al/TiN/Ti/Si结构的金属硅化物SBD的有关特性.通过工艺实验确定VLSI中的钛硅化物最佳的制作工艺条件.
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