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在深低温下(T＜50K),CMOS器件会出现Kink效应,即Ⅰ-Ⅴ特性曲线会发生扭曲.当漏源电压较大时(Vds＞4V),漏电流突然加大,电流曲线偏离正常的平方关系。本文通过实验表明,Kink效应对CMOS读出电路中的一些电路结构产生较严重的影响,Kink效应会导致源跟随器输出产生严重的非线性，对于共源放大器和两级运放,Kink效应会使其增益产生非线性。本文针对影响低温读出电路性能的Kink效应进行了分析和研究,提出了在低温CMOS读出集成电路设计中如何解决这些问题的方案。