【摘 要】
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SnS由低毒、廉价、高丰度的元素组成,在热电研究领域受到广泛关注。采用机械合金化（MA）结合放电等离子烧结（SPS）工艺制备了n型SnS1-xClx（x=0,0.02,0.03,0.04,0.05,0.06）多晶块体热
【机 构】
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北京科技大学材料科学与工程学院,清华大学材料学院,山东农业大学化学与材料科学学院
【基金项目】
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国家重点研发计划(2018YFB0703600);国家自然科学基金(11474176)~~
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SnS由低毒、廉价、高丰度的元素组成,在热电研究领域受到广泛关注。采用机械合金化（MA）结合放电等离子烧结（SPS）工艺制备了n型SnS1-xClx（x=0,0.02,0.03,0.04,0.05,0.06）多晶块体热电样品,并研究了Cl-掺杂量对SnS物相、微观结构以及电热输运性能的影响。结果表明:Cl-的引入会提高电子浓度,使SnS由本征p型转变为n型半导体。随着Cl-掺杂量的增加,n型SnS半导体室温下的霍尔载流子浓度从6.31×1014 cm-3（x=0.03）增加到7.27×1015 cm-3（x=0.06）。x=0.05样品在823 K取得最大的电导率为408 S·m-1,同时具有较高的泽贝克系数为-553μV?K-1,使其获得最大功率因子为1.2μW·cm-1·K-2。Cl-的掺入会引入点缺陷,散射声子,使晶格热导率κlat由0.67 W·m-1·K-1（x=0）降至0.5 W·m-1·K-1（x=0.02）。x=0.04样品在823 K获得了最大ZT为0.17,相比于x=0样品（ZT～0.1）提高了70%。
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